Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON NT333 #293809047 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON NT333 ist ein dreizoniger, paralleler, plattenförmiger chemischer Dampfabscheidungsreaktor (CVD), der entwickelt wurde, um hochwertige, gleichmäßige Dünnschicht- und Nanostrukturschichten zu erzeugen. TEL NT-333 hat eine breite Palette von Anwendungen, einschließlich fortschrittlicher Materialforschung, und wird in der Halbleiterherstellung verwendet, um Epitaxie- und Bauelementschichten wie Gate-Oxide, Gate-Dielektrikum und Schilde abzuscheiden. TOKYO ELECTRON NT 333 verfügt über drei unterschiedliche Prozessbereiche oder -zonen mit jeweils einer eigenen Betriebsumgebung und Prozesshardware. In der ersten Zone, der plasmaverstärkten Abscheidungszone (PED), werden die chemischen Vorläufer eingeführt und aktiviert. Diese Zone umfasst eine zentrale Prozesskammer mit einer + Gleichspannung, Quellen für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) und Magnetronsputtern, eine in-situ Molekularstrahlquelle und einen Gaseinlass für chemische Vorläufer. Die zweite Zone der NT333 ist die Wachstums- oder Niederdruck-Zone der chemischen Dampfabscheidung (LPCVD). Diese Zone soll eine Reaktion zwischen den Gasphasenvorläufermolekülen und der Oberfläche des zu verarbeitenden Wafers auslösen. Sie umfasst eine Quarzrohrreaktionskammer mit Druckregeleinrichtung sowie Quellen für Ofenheizung und Mikrowellenstrahlung. Die dritte Zone von TEL/TOKYO ELECTRON NT 333 ist die Post-Process-Zone. Diese Zone soll die bearbeiteten Wafer kühlen und die Prozesskammer und Kammerkomponenten mit einem in-situ, trockenen, Plasma-basierten Kammerreiniger reinigen. Die drei NT-333 sind in einem Vakuumgefäß eingeschlossen und in einer Ultrahochvakuum (UHV) -Umgebung enthalten; dadurch wird sichergestellt, dass die im Prozess eingesetzten Gase getrennt und unverseucht bleiben und eine präzise Steuerung der Wachstumsumgebung und der für eine hochwertige Dünnschichtabscheidung erforderlichen Parameter ermöglicht. TOKYO ELECTRON NT-333 beinhaltet auch ein computergesteuertes System zur präzisen Steuerung von Wachstumsparametern und Prozessüberwachung. Diese Einheit umfasst eine Maschinensteuerung, eine programmierbare Logiksteuerung sowie Steuer-, Datenerfassungs- und Diagnoseprozessoren. Das computergesteuerte Werkzeug kann so programmiert werden, dass Gas-, Leistungs- und Temperaturparameter genau gesteuert werden und jeder Prozessschritt genau überwacht wird. Abschließend ist TOKYO ELECTRON NT333 ein fortschrittlicher paralleler plattenförmiger CVD-Reaktor, der entwickelt wurde, um hochwertige, gleichmäßige Dünnschicht- und Nanostrukturschichten zu erzeugen. Es ist mit präzisen Steuerungs- und Überwachungsfunktionen sowie einer ultrahochen Vakuumumgebung ausgestattet, die eine präzise Kontrolle über Wachstumsparameter und eine präzise Prozessüberwachung ermöglicht. Es ist speziell für Halbleiterherstellungsanwendungen konzipiert und hat eine breite Palette von Anwendungen, einschließlich fortschrittlicher Materialforschung.