Gebraucht TEL / TOKYO ELECTRON Probus SiC #293667917 zu verkaufen

TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC (Silicon Carbide) Reaktor wird im Halbleiterverfahren der chemischen Dampfabscheidung (CVD) für selektive Epitaxie verwendet. Dieser Reaktor basiert auf den bewährten Technologien von Warmwandrohrreaktorsystemen. Das Warmwandrohr besteht aus hochreinem SiC (Siliziumcarbid) -Material und der Detektor befindet sich in der Nähe des Rohreinlasses, um die Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Schicht in allen Halbleiterprozessen zu gewährleisten. Das Rohrende ist mit einer Schlitzdüse ausgestattet, um die Gleichmäßigkeit der Gasströmung und Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen Folie zu gewährleisten. TEL Probus SiC-Reaktor ist mit einer inerten, gasabschirmenden Ausrüstung ausgestattet, um Verschmutzungen zu reduzieren. Das Reaktorrohr weist außerdem ein Heizsystem mit einem bestimmten Temperaturprofil auf. Dies ermöglicht eine präzise Kontrolle der Prozessbedingungen und der Filmbildung und Eigenschaften. Das SiC-Material ist mit einer praktischen, integrierten Drucksteuereinheit und einem Manometer ausgestattet, um die Genauigkeit der Filmabscheidung und der Prozesssteuerung sicherzustellen. TOKYO ELECTRON Probus SiC Reaktor hat eine Vielzahl von Funktionen, um die Genauigkeit des abgeschiedenen Films zu gewährleisten. Es wird mit einer Filmgleichförmigkeitsüberwachungsmaschine entworfen, um die Gleichförmigkeit der Dicke des abgelegten Films einheitlich zu sichern. Darüber hinaus kann mit einem Auto-Feedback-Tool sichergestellt werden, dass das Temperaturprofil des Prozesses einheitlich und konsistent ist. Das Heizgut ermöglicht die genaue Kontrolle der Abscheiderate und der Filmbildung. Darüber hinaus ist der Reaktor mit einem Schichtdickenmesser zur Überwachung der Dicke der abgeschiedenen Folie ausgestattet. Probus SiC Reaktor ist ein zuverlässiges und präzises Werkzeug für eine Vielzahl von Filmabscheidungsprozess Steuerung und Analyse. Das Inertgas-Abschirmmodell verhindert Verschmutzungen und ermöglicht eine sicherere Prozesssteuerung. Durch die exakte Temperaturregelung kann der Prozess genau überwacht und die Gleichmäßigkeit der Folie erreicht werden. Die Druckregelung ermöglicht eine präzise Steuerung der Filmabscheiderate und Filmbildung. Darüber hinaus ermöglicht die Auto-Feedback-Einrichtung eine kontinuierliche Überwachung der Genauigkeit des Abscheideprozesses. Das Schichtdickenmessgerät und das Gleichmäßigkeitsüberwachungssystem bilden eine genaue Grundlage für die Filmanalyse und die Bewertung der Eigenschaften der Folien.