Gebraucht THOMAS SWAN 3x2 GaN #293808134 zu verkaufen

Hersteller
THOMAS SWAN
Modell
3x2 GaN
ID: 293808134
MOCVD System.
THOMAS SWAN 3x2 GaN Reaktor ist ein fortschrittlicher, kompakter, Hochleistungsreaktor, der für Anwendungen entwickelt wurde, die hohe thermische Strömungen und niedrige elektrische Geräuschpegel erfordern. Dieser Reaktor nutzt ein revolutionäres Design; es wird um drei 2-Zoll-dicke Germanium-Nitrid (GaN) Halbleitersteine in einem dreieckigen Muster gebaut. Ihre große Masse bietet eine größere Wärmekapazität als bei anderen Materialien, wodurch der Reaktor höhere Temperaturen beim Heizen bewältigen kann, ohne dass es zu einem thermischen Auslauf kommt. Gleichzeitig leitet die Schichtstruktur des GaN-Halbleiters effizient Wärme ab, was eine schnellere Wärmeabgabe als bei anderen Materialien ermöglicht. Die Verwendung dieser GaN-Steine bietet auch Vorteile bei elektrischen Geräuschpegeln; der Schichtaufbau der Steine liefert ein glatteres, gleichmäßigeres elektrisches Signal, das elektrisches Rauschen reduziert, das andere Elektronik in der Nähe des Reaktors stören kann. Thermische Stoßfestigkeit ist ein weiterer Vorteil; Die GaN-Struktur eignet sich für eine effektive Beständigkeit gegen abrupte Temperaturänderungen, was das Risiko eines thermischen Auslaufs verringert. Die robuste Bauweise des 3x2 GaN Reaktors minimiert zudem den Bedarf an Ersatzteilen. Alle Komponenten, einschließlich der GaN-Halbleitersteine, sind in einem leichten Gehäuse aus Titanlegierung untergebracht, das einen hervorragenden Schutz vor Verschleiß bietet und gewährleistet, dass der Reaktor seine Leistung und Zuverlässigkeit im Laufe der Zeit beibehält. THOMAS SWAN 3x2 GaN Reaktor ist eine gute Wahl für Anwendungen, die hohe Leistung und Wärmemanagement erfordern. Sein einzigartiges Design und robuste Konstruktion bieten ausgezeichnete Leistung, Zuverlässigkeit und Langlebigkeit, so dass es Anwendungen mit hohen thermischen Strömungen und geringen elektrischen Geräuschen zu bewältigen.
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