Gebraucht VEECO / EMCORE TurboDisc K465i GaN #9375124 zu verkaufen

VEECO/EMCORE TurboDisc K465i GaN Reactor ist ein vielseitiger Epitaxiereaktor der nächsten Generation, der eine hervorragende Prozesswiederholbarkeit, Abscheideraten und Gleichmäßigkeit bietet. Es eignet sich ideal für Forschungs- und Entwicklungs- und Produktionsanwendungen und bietet eine hervorragende Leistung für den Anbau dünner Filme aus Nitridmaterialien der Gruppe III, wie GaN, AlGaN und InGaN. Der K465i GaN-Reaktor ist speziell für den HRM-Prozess (High Rate Molecular Beam Epitaxy) konzipiert, der ein extrem hohes Abscheidungsgeschwindigkeitswachstum ermöglicht und sowohl für die Forschung als auch für die kommerzielle Produktion geeignet ist. Sein spezielles Design ermöglicht mehrere Vorteile gegenüber herkömmlichen MBE (Molecular Beam Epitaxy) -Techniken, wie verbesserte Substratheizung, ein breiteres Spektrum an Wafergrößenverträglichkeit, höherer Abscheidungsdurchsatz, verbesserte Kristallvervollkommnung und Prozesswiederholbarkeit. Der K465i GaN-Reaktor besteht aus mehreren Komponenten, darunter einer Magnesiumoxid-Quellenversorgung, Effusionszellen, einer Kryopupferkatomaterquelle, einem beheizten Substrathalter und zwei Turbo-Molekularpumpen. Die Magnesiumoxidquelle ist eine kritische Komponente im Reaktor, da sie für die Bereitstellung des Vorläufermaterials verantwortlich ist, das auf dem Substrat in einen dünnen Film umgewandelt wird. Eine Effusionszelle hält das Ausgangsmaterial, während die Kryopupferkatomaterquelle einen präzisen Fluss von Atomen erzeugt, um den dünnen Film auf dem Substrat zu bilden. Der beheizte Substrathalter ermöglicht das Abscheiden der Dünnschicht bei bestimmten Temperaturen, während die Turbomolekularpumpen ein Vakuum erzeugen, um die mögliche Kontamination in der Abscheidekammer zu verringern. Der K465i GaN-Reaktor bietet eine beispiellose Kontrolle über Temperatur, Wachstumsrate und Substratreaktivität. Dadurch lassen sich auch bei komplexen Strukturen extrem gleichmäßige Dünnschichten herstellen. Darüber hinaus kann sie im Vergleich zu herkömmlichen MBE-Maschinen extrem hohe Wachstumsraten realisieren, was den Zeitaufwand für die Abscheidung drastisch reduzieren kann. Insgesamt ist VEECO TurboDisc K465i GaN Reactor ein leistungsfähiges Werkzeug für die Forschung und Produktion von Nitrid Dünnschichten. Es bietet eine beispiellose Einheitlichkeit und Kontrolle über die Substrat-Film-Schnittstelle, so dass Wissenschaftler und Ingenieure ihre Ergebnisse präzise nutzen können. Mit seiner ausgezeichneten Wiederholbarkeit und Leistung kann es das perfekte Werkzeug sein, um eine überlegene Geräteleistung mit weniger Zeitaufwand für die Abscheidung zu erzielen.