Gebraucht HITACHI S-3000N #293820636 zu verkaufen
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ID: 293820636
Scanning Electron Microscope (SEM)
Silicon Drift Detector (SDD)
Secondary electron (SE) image: 3.0–3.5 nm at 25–30 kV in high vacuum (HV) mode
Backscattered electron (BSE) image: 5.0 nm at 25 kV in variable pressure (VP) mode
Some sources note: ~15 nm SE at 3 kV (HV) or 5 nm overall in VP mode at 25 kV
Accelerating voltage: 0.3–30 kV
Magnification: 15× to 300,000× (normal mode, ~65 steps); low-mag mode down to 5× (75 steps)
Variable Pressure Range: 1 – 270 Pa (low vacuum/VP mode); high vacuum ultimate ~1.5 × 10⁻³ Pa
Maximum Specimen Size: 150–200 mm diameter; height typically up to ~20–40 mm
Working Distance (WD): Variable; X-ray/EDX optimized at 15 mm
Detectors:
Secondary electron detector (SE, high vacuum only)
Solid-state Backscattered Electron Detector (BSE, four-quadrant for compositional, topographic, or 3D modes; usable in HV and VP)
Absorbed current detector
Specimen Stage:
Common: X = 100 mm, Y = 50 mm, Z = 5–40 mm; tilt 0–60°; 360° rotation
Other options include super-eucentric, large eucentric, or 5-axis stages with different ranges (e.g., ±90° tilt possible on some)
Image Processing & Display:
Frame memory: 640×480 (display), 1280×960 (high-res), optional 2560×1920
Features: Auto brightness/contrast (ABC), auto focus/stigmator, image integration, gamma control, recursive filtering
(2) Pumps
Chiller
Spare manual stage
Motorized stage
EDAX Si(Li) detector
EDAX Falcon compute
EDAX Apollo EDS
Genesis computer.
HITACHI S-3000N ist ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) mit bemerkenswerten Fähigkeiten zur hochauflösenden Bildgebung und Analyse von Proben auf der Nanoskala. Mit Hilfe einer fortschrittlichen Elektronenoptik erzeugt HITACHI S-3000 N Bilder mit überlegener Raumauflösung und ausgezeichnetem Kontrast mit schnellen Abtastgeschwindigkeiten. S 3000 N verwendet eine einzigartige Dual-SEM-Säule, die die ultimative Flexibilität bietet, wenn es um die Erhöhung von Arbeitsabstand, Betriebsspannung, Sichtfeldern und Vergrößerung geht. Der große Arbeitsabstand des Mikroskops von 25mm ermöglicht die Analyse dickerer Proben mit größerer Stabilität, während das hochauflösende Elektronenoptiken-System Details mit atemberaubender Klarheit erfasst und so für die Abbildung einer Reihe von Objekten von unregelmäßig geformten Strukturen bis zu ultrafeinen Merkmalen geeignet ist. HITACHI S 3000 N ist mit einer fortschrittlichen spektralen Merkmalskontrolleinheit ausgestattet, die Proben genau identifiziert und genaue Analysen und genaue Parameter für die Probeninspektion ermöglicht. Darüber hinaus ist die Maschine in der Lage, den Rasterelektronenstrom von 0.3nA nach 1000nA zu steuern und die Analyse verschiedener Materialien mit unterschiedlichen Materialeigenschaften zu ermöglichen. Bei der Analyse von Proben bietet S-3000 N zwei zusätzliche Funktionen: EDX und EBSD. Diese Funktionen ermöglichen es Benutzern, Elemente zu erkennen und kristallographische Orientierungen an Materialien wie Metallen, Keramiken und Halbleitern zu messen. Ausgestattet mit einem bemerkenswerten Multichannel-Detektor mit Hochgeschwindigkeitszählfunktionen können S-3000N auch ein erstklassiges elementares Mapping mit schnellen Bildgebungsgeschwindigkeiten durchführen. HITACHI S-3000N bietet eine optimierte Benutzerergonomie mit einer umfassenden Benutzeroberfläche, die einfache Einstellungen und Bedienung ermöglicht. Für fortgeschrittene Anwender ermöglicht das spezielle ImageWare-Softwarepaket sowohl die Fernbedienung als auch die Bildverarbeitung mit Leichtigkeit. Für Anwendungen, die ein Rasterelektronenmikroskop mit hoher Leistung und Flexibilität benötigen, ist HITACHI S-3000 N die ideale Wahl. Mit seinem breiten Spektrum an Fähigkeiten und hervorragenden bildgebenden Qualitäten ist es ein leistungsstarkes Werkzeug, um viele Arten von Proben erfolgreich zu charakterisieren und neue nanoskalige Anwendungen zu erforschen.
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