Gebraucht HITACHI S-3000N #9243774 zu verkaufen

HITACHI S-3000N ist ein Rasterelektronenmikroskop (SEM) für die hochauflösende Bildgebung und Oberflächenanalyse verschiedener Proben. Es verwendet Sekundärelektronen, rückgestreute Elektronen, Röntgensignale und optische Signale, um Probenoberflächen in hoher Vergrößerung zu beobachten. Das SEM ist mit einer Hochvakuumsäule für präzise Probenorientierung und Beobachtung gebaut. Es hat einen Arbeitsabstand von bis zu 285 mm und ermöglicht eine breite Palette von Proben mit einem Durchmesser von bis zu 100 mm. Das Mikroskop nutzt säulengekühlte E-Gun-Technologie mit der Fähigkeit, eine Auflösung von 1,5 nm zu erreichen. Diese Technologie ist in der Lage, hochauflösende Bilder zu erfassen und ermöglicht einen maximalen Bildbereich. HITACHI S-3000 N verfügt über ein einzigartiges Detektor-Design, um seine Leistung weiter zu verbessern. Die Mehrkanaldetektoren sind in der Lage, große Proben zu handhaben und sind mit einem „automatic gain regulation“ (AGR) -Modus ausgestattet. Dieses fortschrittliche Steuerungssystem wurde entwickelt, um die optimale Bildqualität unabhängig von den Beobachtungsbedingungen der Proben zu erhalten. S 3000 N verfügt außerdem über ein automatisiertes Probenausrichtsystem (ASA), das eine einfache Probenein- und -ausrichtung ermöglicht. Darüber hinaus ist es mit einer In-Column Deflection Lens (DFL) ausgestattet, um die Elektronen jederzeit zu überwachen. Dies gewährleistet eine optimale Probenanalyse und Oberflächenbildgebung. S-3000 N ist auch mit einer Vielzahl von Abbildungsmodi gebaut, einschließlich konventionelle, TEED, digitale Bildgebung, Spot-Analyse und Scannen. Es verfügt auch über ein digitales Bildverarbeitungssystem, das es ideal für die TEM-Bildgebung macht. Insgesamt ist S-3000N ein leistungsstarkes und vielseitiges Rasterelektronenmikroskop, mit dem eine Vielzahl von Proben mit beispielloser Präzision analysiert werden können. Dank seiner fortschrittlichen Eigenschaften und Technologie ist es die ideale Wahl für die Beobachtung von Oberflächenstrukturen sowie 3D-Bildgebung und Probenanalyse.