Gebraucht JEOL JBX-5500FS #9131532 zu verkaufen
Es sieht so aus, als ob dieser Artikel bereits verkauft wurde. Überprüfen Sie ähnliche Produkte unten oder kontaktieren Sie uns und unser erfahrenes Team wird es für Sie finden.
Tippen Sie auf Zoom
Verkauft
ID: 9131532
Wafergröße: 4"
Weinlese: 2010
Direct Write E-beam Lithography System, 4"
Specifications:
General:
Electron-beam lithography system that employs spot-beam vector scanning for sub-micron and nano-lithography
Two selectable writing modes:
High-resolution writing mode (5th Lens mode) for nano-lithography
High-speed writing mode (4th Lens mode) for sub-micron lithography
Accelerating voltage is also selectable either 25kV or 50kV
Beam scanning speed: 12MHz
Stage position is controlled by high-precision laser interferometer
Control system: Microsoft® Windows® PC
Minimum feature size:
High-resolution writing mode 50Kv: </= 10 nm (at the field center)
Overlay accuracy:
High-resolution writing mode 50kV:</= 40 nm (3 sigma)
High-speed writing mode 25kV (1200 um Field): </= 70 nm (3 sigma)
Field stitching accuracy:
High-resolution writing mode 50kV: </= 40 nm (3 sigma)
High-speed writing mode 25kV (1200 um Field): </= 70 nm (3 sigma)
Performance:
Electron beam:
Beam shape: Spot (Gaussian) beam
Accelerating voltage: 50 kV, 25 kV
Beam current: 30 pA to 20 nA
Beam deflection method: Vector scan (Random access)
Writing field:
High-resolution writing mode:
50kV: Up to 100 um X 100 um
25kV: Up to 200 um 200 um
High-speed writing mode:
50kV: Up to 1000 um
25kV: Up to 2000 um
Beam positioning DAC: (18) bits
Beam-positioning unit:
High-resolution writing mode:
50kV: 0.5 nm
25kV: 1 nm
High-speed writing mode:
50kV: 5 nm
25kV: 10 nm
Beam scanning DAC: (12) bits
High-resolution writing mode:
50kV: 0.5 nm x N
25kV: 1 nm x N
High-speed writing mode:
50kV: 5 nm x N
25kV: 10 nm x N
Beam scanning speed: 83.3 ns to 4 ms/scanning step size (12 MHz to 250 Hz, respectively)
Field correction function:
Deflection correction: Amplitude, Rotation
Deflection aberration correction: Deflection distortion
Stage movement:
Method: Step and Repeat
Stage position measurement: Laser interferometer
Positional step size: lambda/1024 (approx. 0.6 nm)
Stage movement range: 104 x 75 mm
Writing area: 75 x 75 mm
Moving speed: Up to 10 mm/s
Material Transfer:
Loader
Manual loader: Single cassette loading mechanism
Cassette (Substrate Holder)
Wafer size: 2 to 4 inch
Wafer loading/unloading: Manual
Input pattern data:
Data format: JEOL52(V3.0)
Writing field:
High-resolution writing mode:
50kV: Up to 100 um x 100 um
25kV: Up to 200 um x 200 um
High-speed writing mode:
50kV: Up to 1000 um x 1000 um
25kV: Up to 2000 um x 2000 um
Specified resolution:
High-resolution writing mode:
50kV: 0.5 nm
25kV: 1 nm
High-speed writing mode:
50kV: 5 nm
25kV: 10 nm
Writing functions:
Cyclic correction: Dose correction, Beam position correction, Beam deflection system correction
Shot time modulation: Up to 256 ranks
Field shift overlapping writing
Design Functions:
Data format: JEOL01
Data conversion output: JEOL52(V3.0)
Draw-able figure: Rectangle, Circle, Polygon, Line, Ring
Editing: Flip, Rotation, Copy & Paste, Duplicate, Grouping
Utility: Reticular, Radial, Fresnel ring generator
Figure map display: Display whole and partial drawing
Others: JEOL52(V3.0) display
Configration:
Component Systems
Electron beam column
Electron source: ZrO/W emitter (Thermal field emission source)
Electron beam optics:
Beam alignment coil
Beam blanker
Lens (de-magnifying, illumination)
Objective lens (4th Lens, 5th Lens)
Beam deflector (1st Deflector, 2nd Deflector)
Stigmator: Objective aperture (4 holes)
Electron beam detection: Back-scattered electron detector, Secondary electron detector, Absorbed current
detector
Material-driving system: XY stage, Laser interferometer system
Material transfer: Manual loader (one cassette can be loaded)
Control CPU system
Personal computer: HP series
Workstation: SUN series
Board CPU
Evacuation system: Vacuum pumps, Valves
Frame
Anti-vibration: Mount
Software
Operating system
Personal computer: Windows XP
Workstation: Solaris 10
Writing preparation: Pattern design GUI
System control: Main GUI, System calibration GUI, Writing GUI
Installation requirements:
Power Supply
Voltage and Capacity:
Single-phase, 100 V, 4 kVA: (2) Lines
Single-phase, 200 V, 8 kVA: (1) Line
Three-phase, 200 V, 4.8 kVA: (1) Line
Power supply frequency tolerance
50 Hz regions: 47 Hz to 53 Hz
60 Hz regions: 57 Hz to 63 Hz
Voltage variation tolerance
For 1 cycle or more: -5% to +10 %
For less than 1 cycle
Sag (voltage sink): </= 10 %
Surge (voltage rise): </= 10 %
Notch: </= 200 V
Spike: </= 200 V
Grounding (forbidden to be used with other instruments)
Ground wire (for exclusive use): 100 0hm or less (D class)
For 0.15 MHz to 0.5 MHz: </= 79 dBuV (quasi peak value); </= 66 dBuV
For 0.5 MHz to 30 MHz: </= 73 dBuV (quasi peak value); </= 60 dBuV
For less than 0.15 MHz, compatible with the level at 0.15 MHz
Primary Cooling Water
Flow rate: 6 L/min (at 25 C) or 13 L/min (at 32 C)
Supply pressure: 0.15 to 0.5 MPa gauge pressure at maximum
Temperature: 15 to 32C
Connection form: Braided hose (inside diameter 15 mm, outside diameter 22 mm)
Overflow drain: No backing pressure
pH (at 25 C): 6.0 to 8.0
Electrical conductivity (mS/m) (at 25 C): </= 30
Chloride ion (mg Cl–/L): </= 50
Sulfate ion (mg SO42–/L): </= 50
Total hardness (mg CaCO3/L): </= 70
Calcium hardness (mg CaCO3/L): </= 50
Ionic silica (mg SiO2/L): </=30
Iron (mg Fe/L): </= 0.3
Sulfide ion: Not detected
Ammonium ion (mg NH4+/L): </= 0.1
High-pressure gas
Material: Nitrogen gas or Clean Dry Air
Supply pressure: 0.5 MPa
Maximum flow rate: 50 L/min
Connection form: 6 mm in diameter
Low-pressure Gas
Material: Nitrogen gas
Supply pressure: 0.1 MPa
Maximum flow rate: 50 L/min
Temperature: 21 to 25 C
Cleanliness: ISO Class 3
Purity: 99.999% or more
Connection form: 1/4 inch in diameter
Evacuate: For roughing vacuum pump
Evacuating capacity: 500 L/min at 50 Hz, 600 L/min at 60 Hz
Pressure: No backing pressure
Connection form: NW25
Installation Space: 5.5 (W)x 3.5 (D)x 2.7 (H) m or more
Entrance: 2.0 (W) x 2.1 (H) m or more
Room Temperature: 21 to 25C
Stability: Within +/- 0.2C/h (Main console area); Within 1C/h Other units area
Humidity: 60% or less (non condensing)
Airflow: about 0.3 m/s
Stray magnetic field
Commercial frequency: (BX2+BY2+BZ2)1/2 </= 0.1 uT
Drift component: (BX2+BY2+BZ2)1/2 </- 0.1 uT
Floor Flatness: +/-1 mm within 600 x 600 mm area
Sound Noise Level
20 Hz-12500 Hz: </= 65 dB
20 Hz and under: </= 90 dB
2010 vintage.
JEOL JBX-5500FS ist ein Rasterelektronenmikroskop (SEM), das für die Hochgeschwindigkeits- und Hochdurchsatzbildgebung entwickelt wurde. Es ist in der Lage, hochauflösende Bilder in einer Vielzahl von Abbildungsmodi zu erfassen, einschließlich sekundärer und rückgestreuter Elektronenbildgebung, Kathodolumineszenz und Photomultiplier-Röhrenbildgebung (PMT). JBX-5500FS ist mit einer schnellen elektronenoptischen Spalte ausgestattet, so dass Bilder in weniger als 10 Sekunden aufgenommen werden können. JEOL JBX-5500FS verwendet eine thermionische SEM-Säule mit einer Feldemissionskanone, die einen 5-kV-Niedrigvakuum-Modus für die kontrastreiche Abbildung nichtleitender Proben bietet. Dies ermöglicht die Detektion von nanoskaligen Merkmalen mit verbesserter Bildqualität auch bei hohen Vergrößerungen von bis zu 300.000x. JBX-5500FS verfügt über eine hochpräzise XY-motorisierte Stufe, die sich mit einer Höchstgeschwindigkeit von 500 μ m/s bewegen kann und eine hervorragende Bildgebungsleistung bietet. Das Mikroskop verfügt auch über eine automatisierte, voll programmierbare Close Zone Imaging Mini-Bühne, bietet Spot-on Wiederholbarkeit und Submikrongenauigkeit. JEOL JBX-5500FS hat ein ergonomisches Design und ist mit einem 21-Zoll-TFT-Monitor für einfache Bedienung und Anzeige von Bildern ausgestattet. Es verfügt auch über ein integriertes Softwarepaket zur Bilderkennung und -analyse mit einer Vielzahl von Werkzeugen, einschließlich einer Partikelanalyse-Suite zur Messung von Formen, Größen und Verteilung sowie Werkzeugen zur Messung von Merkmalen mit optischen Bildern. JBX-5500FS verfügt über überlegene Energiefilterfähigkeiten, so dass der Benutzer Elektronen mit niedriger und hoher Energie für eine optimale Bildgebung herausfiltern kann. Filter und Detektor können für verbesserten Kontrast und Auflösung eingestellt werden. Zusammenfassend ist JEOL JBX-5500FS ein Hochleistungs-Rasterelektronenmikroskop mit überlegenen bildgebenden und bildgebenden Verarbeitungsfähigkeiten. Es ist für Hochdurchsatz-Bildgebung konzipiert und bietet schnelle und genaue Bildgebungsleistung mit überlegener Bildqualität und Kontrast.
Es liegen noch keine Bewertungen vor