Gebraucht MAGNETRON Sputtering #194493 zu verkaufen

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Hersteller
MAGNETRON
Modell
Sputtering
ID: 194493
Wafergröße: 4"-6"
Weinlese: 2010
Sputtering system, 4"-6" In‐line 3‐target system Process variables can be monitored via ZR-RX40 (2) PSICM DC Sputter power supplies MKS 600 Series pressure controller NOVA series ST580 Digital temperature KODIVAC 340 Rotary pump Main system: (2) Chambers: Sample chamber Main chamber Chamber size: Main chamber: 3.5" x ~7" Sample chamber: 2.5" x 3.5" Control rack: 2" x 3" Roughing pump: 2" x 2" Sputter chamber: ~7" Wide and 1.5" height Carrier slider: 1" Length Al plate Gate valve chamber: 1.5" Length Sputter gun section: (3) Guns Lamp heater Sputter target size: 300 mm x 100 mm Installed target: ZnO, ZnO:Al, Empty Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum Transport: Automatic motor driven Vacuum system: KODIVAC 1600K Rotary pump GENESIS ICP 250L Cryo pump Automatic vacuum / Process control with LED display Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005 Sputter system: Sputter power supply: ADVANCED ENERGY RF-10S: 1 KW 13.56 MHz (4) Gas flow controls: SEAHWA KRO-4000 KOFLOC 3665 SEC 7440 Substrate motion control: LED Panel display with speed controller Manuals included 2010 vintage.
MAGNETRON Sputtern ist ein physikalischer Dampfabscheidungsprozess (PVD), bei dem ein Zielmaterial von Ionen eines Edelgases bombardiert wird, das das Zielmaterial abschlägt und verdampft. Dieser Dampf kondensiert dann auf die Oberfläche eines Aufnahmesubstrats, d.h. des Werkstücks. Dieses Verfahren verwendet ein Magnetfeld, um den Ionenstrahl zu steuern, was zu Verbindungen und Filmen mit einer höheren Qualität und Gleichmäßigkeit im Vergleich zu Nicht-Sputtersystemen führt. Beim MAGNETRON Sputtern wird ein Target (hergestellt aus dem zu sputternden Material) oben in der Systemkammer platziert. Das Target ist an einer Kathodenplatte angebracht, an die ein Netzteil angeschlossen ist. Die Kammer enthält auch eine Anode (meist kreisförmig, aber auch andere Formen sind vorhanden). Ein im Inneren der Kammer angebrachter Permanentmagnet umgibt das Target und erzeugt einen hohen Magnetfeldgradienten quer zur Radialrichtung. Ionen eines Edelgases, wie Argon, werden von einer Ionenquelle erzeugt und gelangen zum Ziel. Wenn ein Edelgas verwendet wird, ist die Energie der Ionen so niedrig, dass sie das Substrat nicht beschädigen. Diese Ionen werden dann durch die Anode zum Target hin beschleunigt. Wenn der Ionenstrahl das Ziel erreicht, werden die Ionen aufgrund des starken Gradientenmagnetfeldes über das Radiale abgelenkt. Dies bewirkt, dass sich die Ionen ausbreiten und homogener über die Oberfläche verteilt werden, was zu einer gleichmäßigeren Schichtdicke führt. Das Targetmaterial wird dann von den beschleunigten Ionen vom Target abgesputtert und auf dem Substrat abgeschieden, das typischerweise auf den Boden der Kammer gelegt wird. Durch Versetzen von Substrat und Target kann ein Einfallswinkel erreicht werden, was zu einem wünschenswerteren Abscheidungsprofil führt. Vorteile von Sputtering sind: - Hohe Ablagerungsrate & erhöhter Durchsatz - Hochwertige Produkte mit ausgezeichneten Oberflächenqualitäten und Haftung - Gleichmäßige Schichtdicke - Verfügbarkeit einer breiten Palette von Materialien für MAGNETRON Sputtern, von Metallen, Halbleitern, Keramik und sogar Gläsern - Flexibilität bei der Steuerung der reaktiven Komponenten im Sputterprozess durch die Einführung reaktiver Gase wie Stickstoff, Sauerstoff und Wasserstoff Nachteile des MAGNETRON-Sputterns sind: - Hoher Gasverbrauch durch kontinuierliche Spülung der Kammer - Niedrige Ionennutzungseffizienz - Potenzielle Probleme mit dem Lichtbogen, da die Spannung hoch sein muss, um die Ionen zu beschleunigen - Risiko einer Zielerosion, die zu einer Enteignung der abgeschiedenen Folie führen kann - Substratheizung, die zusätzliche Ressourcen für die Steuerung der Prozesstemperatur bindet.
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