Gebraucht MRC 822 #9039130 zu verkaufen
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ID: 9039130
Sputterspheres
With load lock
Includes:
(3) Diode targets, 8"
Spherical chamber, 19"
Sputters up to (3) materials without breaking the vacuum
CTI 8 Cryo pump with SC compressor
LEYBOLD D-60 Mechanical pump
ENI OEM-6 RF Generator, 1.25 kW
Sputter etch
GP-280 IG controller
VARIAN TC controller
Load locked system
Pallet, 8"
Complete set of manuals
Eye-level control console:
Forward and reflected power meters
Two peak-to-peak meters
Remote power control
Multi-range sputter timer
Sputter button
Pirani gauge
Modes of operation:
Diode deposition: RF Diode, RF Bias
Magnetron deposition: DC and RF
Reactive sputtering
Sputter etching
RF System:
Voltage stabilization
RF Matching network
Auto tuning
Vacuum
Dual loadlock: two pallet mode, three pallet mode
Semi-automatic operation speeds
DC Magnetron power supply: Model: S3016
80-100 psi air, 60-90 psi water, 3 GPM
208 V, 50 Amp, 50/60 Hz, 3 Phase.
MRC 822 ist ein hochenergetisches Ionenstrahlsputtergerät, das eine Hochstrom-Ionenquelle zur Verarbeitung von Materialien verwendet. Diese fortschrittliche Sputtertechnologie wird verwendet, um dünne Filme auf einer Vielzahl von Substraten abzuscheiden. 822 System ist eine computergesteuerte Maschine mit einer benutzerfreundlichen Steuerschnittstelle, die eine Prozesssteuerung und Überwachung von Sputterparametern ermöglicht. Die MRC 822-Einheit verwendet zur Bearbeitung des Substrats sowohl eine Vakuumkammer als auch eine Ionenstrahlquelle. Die Vakuumkammer besteht aus Edelstahl und ist so konzipiert, dass sie ein niedriges Vakuumniveau aufrechterhält, typischerweise im Bereich von 10-5 bis 10-6 Torr. Innerhalb der Kammer wird auch eine innere Vakuummaschine eingesetzt, um das Target auf einem stabilen Druck zu halten. Ein Faraday-Käfig umgibt das Ziel und sorgt für elektrische Isolierung und Abschirmung der Werkzeugkomponenten. Die Ionenstrahlquelle besteht aus einem Hochleistungs-Linearbeschleuniger, der eine hohe Steuerung zur Steuerung von Sputparametern wie Strahlenergie und Teilchengröße ermöglicht. Der Beschleuniger erzeugt Teilchenenergien im Bereich von 100-200 keV und Teilchengrößen im Bereich von 1-10 nm. Die Ionenstrahlquellen können eine Elektronenkanone aufnehmen, die eine breite Palette von möglichen Strahlformen ermöglicht. Zusätzlich kann die Ionenquelle für Ätzanwendungen verwendet werden, wodurch gezielt bestimmte Ziele geätzt werden können. 822 weist außerdem ein In-situ-Substrat-Vorspannungsmerkmal auf, das die Abscheidung von Filmen auf nichtleitenden Substraten ermöglicht. Diese Funktion eignet sich ideal für Folien, die eine Eindringtiefe oder Materialschicht erfordern, wie MEMS und andere Dünnschichtbeschichtungsanwendungen. Die Anlage ist in der Lage, ultrafeine Filmabscheidung, mit Auflösungen so niedrig wie 2-3 nm erreichbar mit dem niedrigen Energie-Ionen-Abscheidungsprozess. Insgesamt ist MRC 822 ein leistungsstarkes und vielseitiges Hochenergie-Ionen-Sputtermodell. Die computergesteuerte benutzerfreundliche Oberfläche ermöglicht die einfache Eingabe genauer und zuverlässiger Sputterverarbeitungsparameter. Die schrittweise Prozesssteuerung und -überwachung ermöglicht präzise Filmabscheidungs- und Ätzanwendungen auf nahezu jedem Substrat. Die Kombination aus Hochleistungs-Linearbeschleuniger und Elektronenkanone bietet dem Benutzer die Möglichkeit, Filme mit Auflösungen von bis zu 2-3 nm abzuscheiden.
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