Gebraucht ULVAC SCH-135A #9162023 zu verkaufen
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ID: 9162023
Weinlese: 2010
Horizontal inline sputtering system
Deposit: ZnO + Ag + Ti Films on glass substrates
Substrate size: 1100 mm x 1400 mm x 3~5 mm
Tact time: 80 Sec per substrate
System configuration:
Loading chamber
Heating chamber
Sputtering chamber 1 (4 Cathode for ZnO)
Intermediate isolation chamber
Sputtering chamber 2 (3 Cathode for Ag, Ti)
Isolation chamber
Unloading chamber
Vacuum chamber assembly
Transfer assembly
Internal jig assembly
Heating assembly
Sputtering cathode assembly
Power supply assembly
Frame / Conveyor assembly
Pumping system
Operation system
Measurement system
Gas inlet system
Compressed air system
Cooling water system
Spare parts
Substrate conditions
Substrate type: Soda-lime glass substrate coated with amorphous silicon film
Substrate size: 1100 (±1.5) x 1400 (+1.5) x 3t, 4t, 5t (mm)
Processing capacity:
Tact time: 1.3 Min per substrate (80 sec per substrate)
Vacuum conditions:
Ultimate pressure:
Heating
Sputtering
Isolation chambers
8.0 x 10 Pa/better
Evacuation time: Loading / Unloading chambers
Sputtering conditions:
Cathode type:
σ Cathode for ZnO deposition
σ Cathode for Ag deposition
σ Cathode for Ti deposition
Target type:
ZnO
Ag
Ti
Target dimensions:
ZnO: W 200 x L 1620x T61B (mm)
Ag: W 200 x L 1650 x T23/33 (mm)
Ti: W 200 x L 1650 x T61B (mm)
Film thickness / Film thickness uniformity:
ZnO: 80 nm± 10%
Ag: 210 nm± 10%
Ti: 15 nm± 10%
Heating condition:
Case1:
Right before ZnO cathode: 80° C ± 15° C or below (Sub.thickness: 4t)
Right before Ag cathode: 80° C ± 15° C or below (Sub.thickness: 4t)
Case2:
Right before ZnO cathode: 120° C ± 15° C or below (Sub.thickness: 4t)
Right before Ag cathode: 120° C ± 15° C or below (Sub.thickness: 4t)
Transfer speed approximately: 833 mm/min
Uptime: ≥ 85%
MTBF: ≥ 192 Hours
MTTR: < 7.7 Hours
Power: 10 kW, DC power
2010 vintage.
ULVAC SCH-135A ist eine Sputterabscheidungsanlage zur Herstellung von dünnen Folien, Beschichtungen und Schutzschichten. Es beinhaltet die Verwendung von Ionen-Pistolen-Sputtertechnologie zur Herstellung von High-End-Spezialfolien, die die Abscheidung von Folien mit überlegener Haftung und überlegener Kompatibilität mit Substraten ermöglichen. SCH-135A System ist eine hochkonfigurierbare Einheit, die sich gut für die Forschung und Produktion von Filmen mit atomarer Präzision eignet. Zu den Kernkomponenten gehören eine Ionenpistole, eine Sputterpistole, eine Vakuumpumpe und eine Substratübertragungsmaschine. Die Ion Gun wurde entwickelt, um energiereiche Ionen zu erzeugen, die auf eine metallbeschichtete Kathodenoberfläche der Sputterpistole gelenkt werden. Die metallbeschichtete Kathode wird von den Ionen bombardiert, wodurch Atome aus der metallbeschichteten Kathode gesputtert werden. Diese Folien werden durch die Hochfrequenz-Stromversorgung der Kammer gleichmäßig auf das Substrat abgeschieden. Die Sputterpistole ist mit einem einstellbaren Magnetfeld ausgestattet, das eine Feinabstimmung des Sputterprozesses ermöglicht. Dieses einstellbare Magnetfeld hilft dabei, die Ionenrückstreuung zu minimieren und Ionenenergieverluste auf der Oberfläche des Substrats zu minimieren. Das CH-135A Werkzeug enthält auch einen großen Substrathalter, der große Substrate mit einem Durchmesser von bis zu 500 mm aufnehmen kann. Die Vakuumpumpe erfaßt und hält den Vakuumdruck innerhalb der Abscheidekammer aufrecht. Die Vakuumbewertung der Anlage beträgt 10 5 Pascal und der Druck wird kontinuierlich überwacht und angepasst, um den Abscheidungsprozess zu optimieren. ULVAC SCH-135A verfügt auch über ein vollautomatisches Substratübertragungsmodell, das eine sichere Übertragung von Substraten zwischen dem Substrathalter und der Abscheidekammer ermöglicht, wodurch die manuelle Übertragung von Substraten entfällt Insgesamt ist SCH-135A Form ULVAC eine High-End-Sputterausrüstung, die für eine kontrollierte und konsistente Abscheidung von dünnen Filmen konzipiert ist. Seine Kernkomponenten, einschließlich Ionenpistole, Sputterpistole, Vakuumpumpe und Substrathalter, bieten Benutzern eine hohe Kontrolle und Präzision über den Sputterprozess.
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