Gebraucht ULVAC SIH-4545 #9055116 zu verkaufen

ULVAC SIH-4545 ist eine Sputteranlage, die bei der Abscheidung von Dünnfilmbeschichtungen aus einer Vielzahl von Targets verwendet wird. Das System besteht aus einer Ultrahochvakuumkammer, einem Heizelement für das Substrat, einer leistungsstarken HF-Stromversorgung und einer Sputterpistole. Mit einem beschleunigten Gas, wie Ar, Ar/O2 oder Ar/N2, liefert die Sputterpistole einen Hochleistungsstrahl von Ionen an das Ziel und verursacht Sputtern oder die Freisetzung von Atomen auf das Ziel. Dieses Beschießen von Ionen bewirkt eine gleichmäßige Abscheidung des Zielmaterials auf das Substrat. Die Ultrahochvakuumkammer (UHV) ist so ausgelegt, dass sie einen Basisdruck im Bereich von 1,0x10-10 Pa bis 10-3 Pa liefert. Sie besteht aus einer 2-stufigen Schrupppumpe, die mit einem Absperrventil und einer turbomolekularen Pumpeinheit verbunden ist. Die HI Speed Roughing Pump liefert ein tiefes Vakuumniveau im Bereich von 75 bis 110 Pa, während die Turbo Molecular Pump ein höheres Vakuum im Bereich von wenigen mPa liefert. Dies ermöglicht in Kombination mit den Metalldichtungen und dem Backvorgang eine sehr saubere Bearbeitungsumgebung. Das Heizelement, typischerweise eine Hochleistungs-IR-Lampe, sorgt für eine präzise Regelung der Substrattemperatur während der Verarbeitung und ermöglicht konsistente und wiederholbare Ergebnisse. Die Hochfrequenz-Stromversorgung in SIH-4545 liefert zuverlässige und stabile Leistung während des gesamten Sputterprozesses. Die stabile HF-Leistung, kombiniert mit der schnellen Verarbeitungsgeschwindigkeit, macht die Sputtermaschine ideal für große, komplexe Substratoberflächen. Die Sputterpistole in ULVAC SIH-4545 bietet eine einstellbare Ionenquelle. Es ist so konzipiert, dass es hochleistungsfähige, kurzstreckige auftreffende Ionen erzeugt, wodurch eine schnelle und gleichmäßige Beschichtungsabscheidung auf der Substratoberfläche ermöglicht wird. Die Sputterpistole ist für den Durchmesser des erzeugten Ionenplasmas einstellbar, was eine präzise Steuerung der aufgebrachten Schichtdicke ermöglicht. Die Ionenquelle kann für den DC- oder RF-Betrieb konfiguriert werden, wobei die DC-Option für niederempfindliche Substrate wie Glas und die HF-Option für empfindlichere Substrate wie Siliziumwafer geeignet ist. SIH-4545 bietet ein präzises, wiederholbares und flexibles Sputterwerkzeug zur Herstellung von Dünnfilmbeschichtungen auf einer Vielzahl von Materialien. Die einstellbare Ionenquelle bietet in Kombination mit dem präzisen Substratheizelement und der Ultrahochvakuumkammer eine kontrollierte und saubere Bearbeitungsumgebung, die eine wiederholbare und gleichmäßige Abscheidung des Zielmaterials auf der Substratoberfläche ermöglicht.