Gebraucht ULVAC ULDIS-900-CHL #9392461 zu verkaufen

ULVAC ULDIS-900-CHL ist eine Sputterabscheidung, die für die Erstellung von Dünnschichtstrukturen entwickelt wurde. Dieses System ist ein kompakter Aufbau mit einem geringen Platzbedarf für die Abscheidung von metallischen, dielektrischen und/oder magnetischen Materialien. Mit einer vielseitigen Dosier- und Ionenpumpeinheit ermöglicht ULDIS-900-CHL eine gleichmäßige Sputterabscheidung von Materialien mit so dünnen Dicken wie für Halbleiterbauelemente erforderlich. ULVAC ULDIS-900-CHL wird von einer 900-W DC-Magnetron-Sputterquelle angetrieben, die bis zum Milliamperspiegel dicht gesteuert werden kann. Dies ermöglicht eine präzise Kontrolle des Sputterprozesses und ermöglicht dem Anwender die Feinabstimmung der auf der Zieloberfläche abgelegten Materialmenge. Zur Quelle gehört auch eine Vakuumkammer, die bis zu einem Druck von 15,3 mTorr evakuiert werden kann. ULDIS-900-CHL verwendet mehrere Funktionen zur optimierten Abscheidung. Ein Hochfrequenzgasplenum ermöglicht eine präzise Steuerung der Ionenbeschusstiefe des Abscheidematerials. Eine schnelle Quellensteuerung ermöglicht es Benutzern, schnelle quantitative Zusammensetzung Übergänge innerhalb der gleichen Beschichtungsschicht zu erreichen. In der Zwischenzeit hilft der Einschluss einer Oxidfalle und eines aktiven Beschichtungsmittels bei der gleichmäßigen Oxidabscheidung. Außerdem weist die Kammer eine Temperaturüberwachungsmaschine für Dicken im Bereich von 0,1-200 nm auf. Der Probenhalter von ULVAC ULDIS-900-CHL ist 6-in. einachsiger drehbarer Tisch mit der Fähigkeit, bis zu 2 Substrate zu tragen. Zur verstärkten Abscheidung von weichen Materialien wird der Halter auf Temperaturen bis 100 ° C erhitzt. Ein 4-Wege-Gasförderwerkzeug vervollständigt die Probenabscheidungssequenz und ermöglicht die Vorbereitung von Proben mit einfachen, komplexen und hochspezialisierten Strukturen. ULDIS-900-CHL ist ein mächtiges Sputtergut für die Schaffung von Dünnschichtstrukturen. Durch die präzise Kontrolle der Abscheiderate und der Ionenbeschusstiefe ermöglicht dieses Modell die effiziente und genaue Abscheidung von metallischen und dielektrischen Materialien. Mit einem Hochfrequenz-Gasplenum, einer Fast-Sweep-Source-Steuerung, einer Oxidfalle, einem aktiven Coater und einer Temperaturüberwachungseinrichtung bietet dieses System eine große Vielseitigkeit und Genauigkeit.