Gebraucht VACUUM SYSTEMS TECHNOLOGY / VST TFSP-840 #293602592 zu verkaufen
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ID: 293602592
Sputtering system
Ultimate vacuum pressure: 3x10^-7 Torr
Base pressure: 1x10^5 Torr
Pirani gauge, 100 to 1x10^-5 Torr
Maximum allowable leak rate: <1x10^-9 mbar L/sec (Helium)
Vacuum pumping system
PLC Controlled power switching boxes
DC Blocked filters
Substrate holder
PLC / PC Computer control
Targets:
Titanium Tungsten: (Ti) 10 (W) 90 %
Copper (Cu)
Silicon Nitride (Si3N4)
Sputtering mode:
DC / DC Pulsed
RF
Combination of RF and DC
Chamber:
High grade stainless steel, water cooled, SS 304L
3-Ports
RF Shielded view port, 4"
Pumping port
Load lock chamber:
Loading sample holder, Up to 6"
EDWARDS nXDS10 Dry pump:
Pressure: 8x10^-3 Torr
Nominal pumping speed: 10 m³/hrs
EDWARDS EXT75iDX Turbo molecular pump:
Pumping speed: 61 L/sec
Compression ratio N2: >1x10^11
Ultimate pressure: 5x10^-8 mbar
Nominal rotational speed: 90,000 rpm
Air cooling
Sputtering sources:
Source dimension: MAK, 4"
Mounting feedthrough: Quick coupler, 0.75"
Target specifications:
Target diameter: 4"
Target mounting: Magnetic
Magnetic materials
Magnet design:
Type: Nd/Fe B
Configuration: Balanced/Unbalanced
Operation specifications:
DC Max power: 3000W
RF Max power: 1200W
Cathode voltage (Volts): 200-1000V
Discharge current (Max amps): 7 amp
Cooling water:
Flow rate 1.0 gpm
Vacuum interlock
High voltage switch
Chamber switch
Load-lock switch
Dry air pressure switch
Water flow switches
Substrate temperature
Emergency stop
Electrical overload protection
Gas line:
Gas / MFC
Ar / 1-100 SCCM
N2 / 1-50 SCCM
O2 / 1 – 50 SCCM
Maximum beam current:
25 to 35% of discharge current
280mA (Ar @ 1A)
350mA (O2 @ 1A)
Beam energy (Mean): 50 to 180eV (~60% of Anode voltage set point)
Max discharge power: 300W (200W Continuous)
Discharge voltage range:
Ar: 50 to 300V
O2: 100 to 300V
Discharge current range: 0.2 to 1A (Mark I + Ion Source Controller)
Max operating pressure: 1 x 10^-3 Torr (0.13Pa)
Gas use: Inert Gases, O2, N2 and other reactive gases
Typical gas flow range: 2-20sccm
Ion beam neutralization: Filament cathode
Ion beam size (at opening): 1.1 in (28mm) Diameter
MFC 20 sccm
Power supply:
RF Power supply: 13.56 MHz, 600 W
DC Power supply: 1500 W.
VACUUM SYSTEMS TECHNOLOGY/VST TFSP-840 ist eine vielseitige Sputterausrüstung, die robuste und konsistente Sputterleistung liefert. Das System ist mit mehreren Kammerkonfigurationen ausgestattet und bietet Platz für eine Vielzahl von Werkzeugen und Zubehör. Die Einheit ist in der Lage, dünne und flexible Substrate zu verarbeiten, so dass eine zuverlässige und wiederholbare Abscheidung auf einer Vielzahl von Materialien möglich ist. VST TFSP-840 verwendet eine hochmoderne Zwei-Kammer-Konstruktion mit einer isolierten Ladekammer und einer separaten Prozesskammer. Die Ladekammer ist entworfen, um Partikelverunreinigungen zu reduzieren und eine schnelle, einfache Probenbeladung zu ermöglichen. Jede Kammer ist mit einer 2 "Schrupppumpe ausgestattet, um eine stabile, niederdruckreiche Umgebung zu schaffen und einen effizienten Betrieb zu gewährleisten. Die Ladekammer nutzt eine Lastverschlusstür, um Luftverunreinigungen zu minimieren und einen reibungslosen Betrieb zu gewährleisten. In der Prozesskammer ist die VACUUM SYSTEMS TECHNOLOGY TFSP-840 mit acht Kathoden und einem angetriebenen Substratdrehmechanismus ausgestattet. Jede Kathode kann unabhängig Leistungseinstellungen und Sputterziele anpassen. Der Hochleistungssubstratdrehmechanismus sorgt für eine gleichmäßige und gleichmäßige Abscheidung über das gesamte Substrat. Die oben montierte Sputterpistole ermöglicht es, die Maschine einfach für die In-situ-Bearbeitung von großflächigen Proben zu beherbergen. Das TSFSP-840 ist mit einer Reihe von Zubehörteilen ausgestattet, darunter nachgerüstete Substrathalter, externe Substratheizung, Rollentransportwerkzeug, Bordlift/Direktzugangsarm und Sicherheitsschloss, die einen sicheren und ununterbrochenen Betrieb gewährleisten. Die zusätzlichen Funktionen machen den TSFSP-840 zu einem idealen Kandidaten für industrielle Anwendungen. Dank seiner umfangreichen Eigenschaften liefert das TFSFP-840 konsistente und wiederholbare Ergebnisse und gewährleistet eine zuverlässige Dünnschichtabscheidung auf einer Vielzahl von Substraten. Das Asset bietet eine präzise Prozesssteuerung und zuverlässig wiederholbare Performance und ist damit für Anwendungen mit hohem Durchsatz gut geeignet. Darüber hinaus ermöglicht die benutzerfreundliche Touchscreen-Oberfläche des Modells eine einfache und komfortable Bedienung.
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