Gebraucht VARIAN 3290 #9075492 zu verkaufen

Das Sputtersystem VARIAN 3290 ist ein Hochleistungsgerät für Dünnschichtabscheidungsprozesse. Sein Hauptziel ist es, dünne Filme aus Metallen, Oxiden und Halbleitern auf einer Reihe von Substraten für eine Vielzahl von Anwendungen abzuscheiden. 3290 verwendet ein hohes Maß an Prozesssteuerung und ein großes Spektrum an Fähigkeiten, um hochwertige dünne Filme für integrierte Schaltungen, Flachbildschirme, MEMS und Solarzellenanwendungen zu produzieren. Dies gelingt durch seine drei unterschiedlichen und unabhängigen Parameter: eine Kathode, eine einstellbare Platte und einstellbare Flussquellen. Die Kathode ist die Quelle des auf das Substrat aufzubringenden Materials. Dies ist typischerweise ein Draht wie Aluminium, Palladium oder Gold, aber auch andere inerte Materialien wie Chrom können verwendet werden. Der Draht wird auf das Substrat gesputtert, das auf die verstellbare Platte aufgesetzt werden kann. Die verstellbare Platte kann den Winkel des Substrats und die Drehung für eine gleichmäßige Abscheidung auf dem Substrat steuern. Die einstellbaren Flussquellen bieten eine gleichmäßige Abschirmung von Ionen, die den Abscheidungsprozess stören können. Die Flussquellen bieten auch ein gewisses Maß an Hintergrundneutralisation, indem Elektronen auf die Platte. VARIAN 3290 hat auch eine breite Palette von anpassbaren Abscheidungsparametern, so dass Benutzer eine Vielzahl von Materialien in einer Vielzahl von Dicken ablegen können. Diese Parameter bieten eine hohe Flexibilität bei der Auswahl von Abscheidegeschwindigkeit, Spannung, Substrattemperatur und Gasdurchflussraten. 3290 Sputtersystem ist zuverlässig und hocheffizient, bietet ausgezeichnete Folienqualität mit hoher Wiederholbarkeit und Reproduzierbarkeit. Seine große Palette von Fähigkeiten und Prozessparametern geben den Benutzern die Kontrolle, die sie benötigen, um die gewünschten Ergebnisse zu produzieren. Seine benutzerfreundliche Oberfläche und komplexe Einrichtungsprotokolle machen es zu einer idealen Wahl für jeden Dünnschichtabscheidungsprozess.