Gebraucht ENGIS EJW-400IFN #9258273 zu verkaufen

ID: 9258273
Wafergröße: 4"
Weinlese: 2014
CMP System, 4" SiC and GaN Spare parts: (3) CMP Pad hard materials: Ø380 mm (9) CMP Final pads 545N-380: Ø380 mm (5) CMP Standard pads 545N-380: Ø380 mm (5) CMP Pads 530N2700-380: Ø380 mm (2) KRYTOX DuPont performance lubricants (1 kg) (2) CMP Conditioners TYGON Flexible tubes for slurry of several diameters DMP Pad (Used with diamond slurry) Slurry metallic dispensing tube: IDØ 1 mm Slurry metallic dispensing tube: IDØ 2 mm FUJIMI Slurry 0901 Part A FUJIMI Slurry 0902 Part A FUJIMI Slurry 0901 Part B FUJIMI Slurry 0902 Part B ENGIS Colloidal silica polishing compound (0.05 um) 1 Gallon SINMAT TSW-600 Super abrasives 4000 ml CMP Metallic table CMP Weight set CMP Wafer membranes and adapter, 2" Transformers and manuals included Air pressure: 0.4 MPa Power supply: 200 V, 3-Phase, 20 A 2014 vintage.
ENGIS EJW-400IFN ist ein modernes Wafer-Schleif-, Läpp- und Poliergerät für die Herstellung von Halbleiterwafern und Wafersubstraten. Dieses System verwendet mehrere Komponenten, die zusammenarbeiten, um hervorragende Ergebnisse zu erzielen, darunter ein Wafer-Futter, Schleifmedien, Läppmasse und Polierkissen. Das Wafer-Futter ist der Boden der Einheit, und es hält die Wafer sicher an Ort und Stelle, während der Schleif- und Poliervorgang stattfindet. Es ist in der Lage, die Wafer mit hoher Geschwindigkeit zu drehen und einen kontrollierten, einstellbaren Druck auf die obere und untere Fläche auszuüben. Die Mahlmittel, die aus keramischen oder schleifenden Partikeln bestehen, werden verwendet, um Material von beiden Seiten des Wafers wegzuschleifen, bis die gewünschte Oberflächenebenheit erreicht ist. Der Schleifdruck wird während des Schleifprozesses auf den Wafer ausgeübt, so dass die Maschine extrem enge Toleranzen der Oberflächenrauhigkeit und Ebenheit erreichen kann. Nach Erreichen der gewünschten Oberflächenrauhigkeit wird eine Läppmasse verwendet. Diese Verbindung enthält Schleifpartikel, die die Oberflächengüte des Wafers weiter verfeinern. Während des Läppvorgangs wird das Medium an einem Roboterarm befestigt, der die notwendige Bewegung ausführt, um eine vollständige Abdeckung über beide Oberflächen des Wafers zu gewährleisten. Sobald der Läppvorgang abgeschlossen ist, entfernt der Roboterarm die Läppmasse und der Wafer ist zum Polieren bereit. Der Polierprozess verwendet Polierkissen, um die Oberflächengüte des Wafers weiter zu verfeinern. Polierkissen sind Weichschaum- oder Nylonpolierscheiben, die die Oberfläche des Wafers weiter verfeinern und glätten können. Die Polierkissen sind auf demselben Roboterarm montiert, der zum Läppen verwendet wird, und sie drehen sich mit hoher Geschwindigkeit, um die Oberfläche des Wafers sanft aufzufüllen. Anschließend zerstört der Roboterarm die Polierkissen, wodurch Entsorgung und Reinigung entfallen. EJW-400IFN Waferschleif-, Läpp- und Polierwerkzeug bietet beispiellose Präzision und Genauigkeit in der Oberflächenvorbereitung für Halbleiterwafer und Wafersubstrate. Es ist zuverlässig, sicher und in der Lage, zuverlässige Ergebnisse immer wieder zu produzieren.
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