Gebraucht DNS / DAINIPPON 80A #9162943 zu verkaufen

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DNS / DAINIPPON 80A
Verkauft
ID: 9162943
Wafergröße: 6"
Weinlese: 1997
Developer system, 6" 1997 vintage.
DNS/DAINIPPON 80A ist eine Photoresist-Ausrüstung, die entwickelt wurde, um Mikroprozessoren, Halbleiter, Chips und andere elektronische Komponenten zu erstellen. Es ist ein Werkzeug, das sowohl Photolithographie als auch Spurätzprozesse kombiniert. Photolithographie ist ein Verfahren, bei dem ein Master-Muster durch Belichten eines lichtempfindlichen Materials auf einem Substrat erzeugt wird. Die ultravioletten Strahlungskomponenten im Master-Muster werden selektiv durch eine Photomaske blockiert, die Licht nur durch die vorgesehenen Bereiche hindurchführen lässt. Dieses Verfahren gewährleistet ein extrem präzises Muster mit hohem Detail, was für die Erstellung kleiner Dünnschichtstrukturen wichtig ist. Mit dem Spurätzverfahren werden dann die feinen Strukturen in der Photolackschicht erzeugt. Die belichteten Schichten werden in einem Photolackentwickler entwickelt, der den Photolack in den gewünschten Mustern auflöst und wegwischt, wobei die verbleibende Struktur zurückbleibt. DNS 80A System bietet auch eine hochautomatisierte Produktionslinie. Dies ermöglicht eine Verarbeitung, die eine massive und präzise Photokontrolle über große Flächen mit einer Laserquelle von ArF (Argon-Fluorid) KrF (Krypton-Fluorid) erfordert. DAINIPPON 80A-Einheit bietet stabilere Resistprozesse mit hoher Ätzselektivität und kann Muster mit klaren Linienbreitenfunktionen erzeugen. Diese Maschine erhöht nicht nur die Leistung, sondern verkürzt auch den Zeitaufwand für die Herstellung von Halbleiter- oder mikrostrukturierten Produkten. Darüber hinaus eignet sich das Werkzeug sehr gut zur hochpräzisen Strukturierung mit minimalen Linienbreiten, die kleiner als 0,1 μ m sind und der steigenden Nachfrage nach komplexeren Strukturen gerecht werden. 80A Photoresist Asset ist in der Halbleiterindustrie für seine hohe Genauigkeit und Zuverlässigkeit weit verbreitet. Mit seinen High-End-Eigenschaften und verschiedenen Resist-Entwicklungsprozessen wird dieses Modell sicher den Anforderungen der Halbleiterindustrie gerecht.
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