Gebraucht ASML XT 760F #9305673 zu verkaufen
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ID: 9305673
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2006
DUV Scanner, 12"
External interface module
Bottom module
Reticle stage
Covering panels frame parts
Covering panels frame MCAB
Covering panels
RSRC Cabinet
MCWC Cabinet
MDC Cabinet
LCWC Cabinet
Exhaust cabinet
Machine parts clean folder
Side channel blower
(6) Machine parts
Double stage
Hard Disk Drive (HDD), 4.1.0
Locking kit
TAMIS (EMTA):
Z7 Offset: ±4.0 nm (-5.96)
Z8 Offset: ±4.0 nm (-1.11)
Z7 Tilt in X: ±2.0 nm/cm (-0.04)
Z9 Offset: ±4.0 nm (0.48)
SAMOS (EMCA):
SAMOS: ≤3% (1.74)
SLIT Uniformity (LUSU):
- / NA / S.In / S.Out / Control spec / Down spec / Result
Annular (M-Action) / 0.7 / 0.55 / 0.85 / 1.50% / 3.00% / 0.31
Conventional / 0.65 / 0 / 0.75 / 1.50% / 3.00% / 0.26
Conventional / 0.7 / 0 / 0.6 / 1.50% / 3.00% / 0.28
Model result parameter:
Best focus: ±0.015 (0.002)
Image height C1 (um): 0 ±0.015 (0.002)
Image height C2 (um): 0 ±0.015
Image height different (um): 0 ±0.015
Image tilt ry C1 (urad): 0 ±0.5 (-0.279)
Image tilt ry C2 (urad): 0 ±0.5
Image tiltry different (urad): 0 ±0.5
Intrafield:
Focus range chuck 1 Before: <120 nm (91.6)
Focus range chuck 2 Before: <120 nm
Focus range chuck 1 After: <120 nm (89)
Focus range chuck 2 After: <120 nm
Focus range C1 different (nm): 0 +15 (2.6)
Focus range C2 different (nm): 0 +15
Astigmatism range C1 different (nm): 0 ±5 (0.6)
Astigmatism range C2 different (nm): 0 ±5
Result after correction:
IPD Mean (nm): <120 (89)
IPD STDEV (nm): <10
Astigmatism mean (nm): <70 (36)
Astigmatism STDEV (nm): <10
Dose accuracy and repeatability performance (ODAR):
Dose accuracy: <2.0 (max) (1.416)
Dose repeatability: <0.5 (0.057)
CYMER Laser not included
2006 vintage.
ASML XT 760F ist ein fortschrittlicher Wafer-Stepper der nächsten Generation, der als marktführende Lösung für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente dient. ASML XT:760F ist ein Wafer-Stepper, der Technologien wie tiefe ultraviolette Lithographie (DUV) und Excimer Laser Lithographie (EUV) unterstützt. Es bietet überlegene Präzision und hohe Durchsatzraten, um den Halbleiterherstellungsprozess weiter zu optimieren. XT 760 F bietet eine Reihe fortschrittlicher Funktionen, die ihn von herkömmlichen Wafersteppern unterscheiden. Es zeigt eine, Hochleistungsdoppelachsensubmikronstufenausrüstung, die die Höchststände der Genauigkeit und Stabilität bietet. Das Dual-Achsen-System verwendet Positionsgeber und Positionserfassungs-Servomotoren sowie adaptive Vorwärts-/Rückkopplungs-Steueralgorithmen, um eine extrem genaue Positionierung des Wafers im Schrittschalter zu ermöglichen. Zusätzlich bietet ASML XT 760 F eine äußerst zuverlässige Aberrationskorrektureinheit, die sicherstellt, dass die Bildqualität auch auf dem steilsten Niveau der Nikon-Projektionsoptik über die gesamte Fläche des Wafers erhalten bleibt. XT 760F verfügt zudem über einen modularen Aufbau, der eine flexible und leicht verstellbare Maschine ermöglicht. Der modulare Aufbau bietet maximalen Schutz für die Optik des Wafer-Steppers, indem jeder Faktor eliminiert wird, der zu einer inakzeptablen Änderung der Waferwirkung oder Ausrichtung führen könnte. Das fortschrittliche Steuerungstool von XT:760F ermöglicht auch die Integration zusätzlicher Prozesse wie Ätzen und Polieren. ASML XT 760F bietet eine einwandfreie Waferbehandlung nach ISO/EEE 9000, einschließlich gleichmäßiger Exposition auf der gesamten Waferoberfläche. Die Prozessparameter sind gleichmäßig und wiederholbar, auch nach Mehrfachbelichtungen. Darüber hinaus ist ASML XT:760F in der Lage, mit extrem hohen Durchsatzgeschwindigkeiten bei geringer Restwaferleistung zu arbeiten. Durch die Erzielung einer überlegenen Wiederholbarkeit der Waferbehandlung stellt XT 760 F sicher, dass der fortschrittliche Halbleiterbauelementeherstellungsprozess mit der höchstmöglichen Genauigkeit durchgeführt wird. Zusammenfassend ist ASML XT 760 F ein fortschrittlicher Wafer-Stepper, der überlegene Präzision, hohe Durchsatzraten, ausgezeichnete Bildqualität und hohe Wiederholbarkeit bietet und somit eine marktführende Lösung für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente darstellt.
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