Gebraucht CANON FPA 5500 iZa #293606900 zu verkaufen

CANON FPA 5500 iZa Wafer Stepper ist eine Halbleiter Lithographie Ausrüstung entworfen, um extrem große Wafer bis zu 300mm zu mustern. Das System verfügt über eine präzise erweiterte Stufe mit einem hochauflösenden Encoder für höchste Genauigkeit und fortschrittliche Geräteüberwachung und -steuerung für maximalen Durchsatz. Die Maschine eignet sich für die Sub-30nm Silizium Produktion und Produktion an den Knoten 65nm und darüber hinaus. Das Tool verwendet fortgeschrittene schwere Ionenlithographie, um erstklassige Mustergenauigkeit und Overlay-Leistung zu gewährleisten. Die Auflösungsfunktionen reichen von 0,7 nm Linie/Raum bis 15 nm, während die Overlay-Funktionen von 1,3 nm bis 15 nm reichen. Die fortschrittliche schwere Ionenlithographie hilft, die Produktivität mit höherem Durchsatz, weniger Retikelveränderungen und weniger Expositionen zu verbessern. Der CANON FPA-5500IZA Wafer Stepper wird von einer leistungsstarken Überwachungskontrolle, dem CORE GXP 266, angetrieben, die ein WindowsCE-basiertes Betriebsmodell für maximale Anwendungsflexibilität und Skalierbarkeit beinhaltet. FPA 5500IZA verfügt zudem über eine hochmoderne Projektionsoptik, Bühnen- und Detektorsysteme sowie eine stationäre 5-Achsen-Wafer-Handhabung. CANON FPA-5500 IZA verfügt auch über eine fortschrittliche Reinheit, thermische Stabilität und Vibrationsreduktion für höchste Betriebsleistung. Die Free Scanning Mode (FSM) -Technologie verbessert die Betriebsleistung weiter, so dass die Waferbelichtung gescannt werden kann, ohne dass der gesamte Stepper neu initialisiert werden muss. Es verfügt auch über eine fortschrittliche Technologie, die bis zu 0,42 um/s scannen kann, um die Kamerabelichtungszeit zu reduzieren und den Durchsatz zu erhöhen. FPA 5500 iZa ist ein Marktführer in der Wafer-Produktion mit Spitzenleistung, ultra-hochauflösender Fähigkeit und fortschrittlicher Zuverlässigkeit, Genauigkeit und Durchsatz. Dieses System ist ideal für die Herstellung komplexer Bauelemente und die Strukturierung der fortschrittlichsten 65nm und 45nm Halbleiterknoten.