Gebraucht RUDOLPH / AUGUST 3DI 8000 #293761475 zu verkaufen

RUDOLPH/AUGUST 3DI 8000 ist eine hochentwickelte Wafer-Prüf- und Messtechnik. Es kann eine optimale Genauigkeit und Präzision bei der Messung der geometrischen Eigenschaften von Halbleiterbauelementen auf einem Wafer bieten. Es bietet sowohl optische als auch interferometrische Messungen von Halbleiterbauelementen an. Das System kombiniert ein speziell entwickeltes interferometrisches 3-Achsen-Mikroskop mit einer Präzisionsstufe zur Erstellung einer bildgebenden Einheit für die Wafermessung. Das Mikroskop besteht aus einer Basis, die zwei Kreuzachsen-Interferometer enthält, die die Messung von zwei lateralen und einer orthogonalen Verschiebungen in drei Dimensionen ermöglichen. Das Mikroskop hat auch einen kollimierten Strahl, der verwendet wird, um die vertikale Abmessung oder Tiefe mit hoher Genauigkeit zu messen. Darüber hinaus umfasst die Maschine eine Präzisionsstufe, die das Scannen großer Waferbereiche mit hoher Genauigkeit ermöglicht. AUGUST 3DI 8000 ist ein robustes, vibrationsunempfindliches Werkzeug. Dieses Asset bietet eine verbesserte Auflösung von bis zu 1,5 Nanometern und eine Wiederholbarkeit von bis zu 0,2 Nanometern. Das Modell ermöglicht schnelle und genaue Messungen von 3-dimensionalen Informationen von Halbleiterstrukturen auf Waferebene. RUDOLPH 3DI 8000 enthält eine erweiterte Bildanalysesoftware, die dem Anwender eine umfassende grafische Darstellung der Ergebnisse ermöglicht. Die Software kann auch verwendet werden, um die mit dem Gerät erfassten Daten zu analysieren und die erfassten Bilder mit Referenzbildern zu vergleichen. Diese Bildverarbeitungssoftware ermöglicht die Visualisierung der erfassten Daten und die weitere Datenanalyse. 3DI 8000 bietet hohe Durchsatzmessungen und ein breites Spektrum an Messmöglichkeiten. Es ist die ideale Wahl für professionelle Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Es eignet sich auch gut für Produktionsprüfungen und Qualitätskontrollen. Dieses System ist die perfekte Wahl, um die Leistung und Zuverlässigkeit neu entwickelter Halbleitermaterialien zu analysieren.