Gebraucht RUDOLPH MetaPulse 300 Cu #9124175 zu verkaufen
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ID: 9124175
Wafergröße: 12"
Weinlese: 2002
Thin film measurement system, 12"
Ultrathin at 45 nm technology node to thick opaque films
Picosecond laser sonar (PULSE tm) technology
Product measurement are enabled with small spot size & non-contact
Non-destructive measurement method
RMS roughness
Material density
Adhesion
Material phase and interlayer reactions
Low-k and ultra low-k ILD modulus capabilities
2002 vintage.
RUDOLPH MetaPulse 300 Cu ist eine Wafer-Prüf- und Messtechnik, die für den Einsatz in Halbleiterherstellungsprozessen konzipiert ist. Das System verwendet eine Wafergröße von 300 mm und kann sowohl Silizium als auch Nicht-Silizium-Wafer verarbeiten. Es ist in der Lage, optoelektronische Messungen sowohl für kritische Dimensionen (CD) als auch für optische Oberflächeneigenschaften (OSP) bereitzustellen. MetaPulse 300 Cu-Einheit verwendet einen KrF-Excimer-Laser, eine Art kurzwelliger Laser, der die Genauigkeit des Nanometers erzeugen kann. Es ist auch mit einem optischen Streumessgerät ausgestattet, das verwendet wird, um die optischen Eigenschaften der Waferoberfläche zu messen, einschließlich Beschichtungsdicke, Gesamtausdehnung von Defekten und mehr. Die Maschine verfügt über eine leistungsstarke 2K CCD-Zeilenkamera, die mit hohen Geschwindigkeiten arbeiten kann, um eine breite Palette von Parametern genau zu messen. Es ist auch mit einem Multiwellenlängen-Spektralphotometer für die hochauflösende spektrale Bildgebung sowie einem E-Strahl-Musterwerkzeug zur schnellen Mustererkennung ausgestattet. Das Asset ist mit fortschrittlichen Software-Algorithmen und Datenverarbeitungstechniken ausgestattet, die es ermöglichen, hochgenaue Ergebnisse zu liefern. Es unterstützt historische Rückverfolgbarkeit, datengesteuerte statistische Prozesssteuerung und grafische Visualisierung von Profildaten. Das Modell RUDOLPH MetaPulse 300 Cu ist für den Einsatz in einer Reihe von Fertigungsprozessen konzipiert, einschließlich Waferdünnung, schnelle Fehlerschablonen-Anwendung sowie Overlay-Optimierung. Es ist auch in der Lage, ultraseichte Verbindungen zu simulieren und die Maskenregistrierung und die kritische Dimension zu messen. Die Ausrüstung sorgt für Genauigkeit und Durchsatz Effizienz, so dass es eine ideale Wahl für jeden fab Prozess. Seine fortschrittliche Funktionalität und sein robustes Design machen es zu einer zuverlässigen Wahl für jeden Wafer-Herstellungsprozess.
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