Gebraucht HOE IE ELECTRONIC Y06150A #9170754 zu verkaufen

HOE IE ELECTRONIC Y06150A ist eine andere Waferbearbeitungsanlage, die entwickelt wurde, um eine hohe Ausbeute und eine hohe Effizienz der Waferbearbeitung zu gewährleisten. Es soll in der Halbleiterindustrie zur Durchführung von zur Herstellung von Logikbauelementen notwendigen Waferätz- und Transferprozessen eingesetzt werden. Dies geschieht mit einer Kombination aus Hochenergie-Elektronenstrahl (HEE) und Hochenergie-Ionen (HEI) -Strahltechnologie. Y06150A System arbeitet mit einem einzigen Wafer-Feed für jeden seiner vier Hauptprozesse: Wafer-Ätzen, Wafer-Transfer, Wafer-Geräteherstellung und Metallabscheidung. Der Prozess beginnt mit der thermischen Isolierung des Wafers. Die Wärmeisolationseinheit wird dann verwendet, um den Wafer vor Schäden zu schützen, die durch die in den Ätz- und Abscheidungsprozessen verwendeten HEE- und HEI-Strahlen verursacht werden könnten. Nach thermischer Isolierung des Wafers werden dann die Ätz- und Abscheidungsprozesse eingeleitet. Die im Ätz- und Abscheidungsprozess verwendeten HEE- und HEI-Strahlen bestehen aus energetischen Elektronen bzw. Ionen. Die energetischen Elektronen dringen in die Oberfläche des Wafers ein und übertragen dessen Wärme auf das Halbleitermaterial. Die Elektronen desorbieren weiter Material von der Oberfläche des Wafers, die dann durch die Abgasöffnung aus der Kammer verdampft werden. Ebenso bombardieren die von der HEI-Maschine erzeugten Ionenstrahlen die Oberfläche des Wafers und erzeugen ein Plasma, das gewünschte Materialien aus dem Wafer verdampft. Nach dem Verdampfen der gewünschten Materialien wird der Verdampfungsvorgang dann durch eine Inertgasspülung, typischerweise He, abgeschlossen, die durch die Prozesskammer gelangt, um lose Partikel von der Oberfläche des Wafers zu entfernen. Nach Beendigung der Ätz- und Abscheideprozesse wird der Wafer dann zur Waferübertragungsstufe bewegt. Das Wafer-Übergabewerkzeug dient zum Kippen des bearbeiteten Wafers in der Kammer und zum Transport des Wafers zur Geräteherstellungsstation. Während der Geräteherstellungsstufe werden photolithographische Techniken verwendet, um Muster auf die Schalter oder andere gewünschte Komponenten zu ätzen. Anschließend wird eine Metallschicht auf die Oberfläche der Bauteile aufgebracht, was typischerweise durch E-Strahl-Abscheidung erfolgt. Nach dem Abscheiden der Metallschicht wird der Wafer dann zur Kühlung in die zweite Wärmeisolationsstation überführt und der Prozess ist abgeschlossen. Zusammenfassend ist HOE IE ELECTRONIC Y06150A ein weiteres Wafer Processing Asset, das in der Halbleiterindustrie zur Herstellung von Logikbauelementen verwendet wird. Es verwendet eine Kombination von HEE- und HEI-Strahlen für den Ätz- und Abscheidungsprozess und verwendet eine thermische Isolationsstation, um Schäden am Wafer zu verhindern. Es weist ferner ein Wafer-Transfermodell auf, um den Wafer zu kippen und durch die verschiedenen Prozessstufen zu bewegen, sowie eine Vorrichtungsherstellungseinrichtung zur photolithographischen Strukturierung und Abscheidung der Metallschicht. Letztlich bietet Y06150A eine hohe Ausbeute und eine hohe Effizienz der Waferbearbeitung.